近日，《ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES，影响因子8.76，SCI一区Top期刊）接收了我院刘雪飞副教授一项题目为《Extrapolated Defect Transition Level in Two-Dimensional Materials: The Case of Charged Native Point Defects in Monolayer Hexagonal Boron Nitride 》的研究成果。缺陷形成能以及电荷转移能级对深入理解缺陷对材料性质的影响扮演着重要角色。然而，二维材料中带电缺陷的精确计算具有挑战性。此研究中，作者提出了一种简单的方法将电荷转能级从半局域泛函转移到杂化泛函精度，节约了带电缺陷能级计算时间。并以二维氮化硼为例验证了该方法的准确性。研究结果表明二维氮化硼中的本征缺陷会扮演空穴或电子的捕获中心，从而抑制n型和p型的掺杂特性。该成果得到贵州师范大学联合基金以及相关国家自然科学基金的资助。

《Applied Surface Science， 影响因子6.18，SCI 二区Top期刊》接收了我院刘雪飞副教授一项题目为《External uniaxial compressive strain induced built-in electric field in bilayer two-dimensional As2S3 for photocatalytic water splitting: A first-principles study》的研究成果。通过光催化水裂解产生氢气是解决能源危机的一种很有吸引力的方法，而内建电场对于光生载体的分离是非常关键的。在本研究中，通过对单层和双层As₂S₃施加单轴应变，作者发现应变可调的电子和光学性质具有很强的各向异性，所有应变条件下的带边均满足水裂解的潜在氧化还原规律。在双层As₂S₃中通过单向压缩应变诱导的内建电场有利于光生载流子的分离，从而提高光催化效率。光吸收结果表明，二维 As₂S₃较适合于光催化的紫外区水裂解制氢。该成果得到贵州师范大学联合基金以及相关国家自然科学基金的资助。

《Nanomaterials，影响因子4.32，SCI 二区期刊）接收了我院刘雪飞副教授一项题目为《The External Electric Field-Induced Tunability of the Schottky Barrier Height in Graphene/AlN Interface: A Study by First-Principles》的研究成果。基于石墨烯的范德华异质结在下一代光电子、纳米电子和自旋电子学器件中起着重要的作用。肖特基势垒高度(SBH)的可调性有利于提高器件性能，特别是改善接触电阻。在此研究中，作者基于密度泛函理论研究了石墨烯/氮化铝界面的电子结构和界面特性。结果表明，接触后石墨烯的本征电子性质略有变化。相比之下，由于C-p和N-p轨道电子的杂化，氮化铝的价带顶发生了明显的变化。巴德尔电荷分析表明，电子会从氮化铝转移到石墨烯，这意味着石墨烯会诱导受体态。此外,肖特基接特性可被外部电场有效调控，研究结果为纳米电子器件的制作提供了一定的指导意义。该成果得到贵州师范大学联合基金以及相关国家自然科学基金的资助。